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关于功率因数校正应用的MOSFET选型

VishaySiliconix设计和生产面向工业、可再生能源、计算出来、消费及灯光市场的高压MOSFET(HVM)。我们享有电压范围为50V至1000V的普遍器件,其中使用我们近期超结技术的器件的电压范围为500V至650V。本设计指南的目的是协助设计工程师在其功率因数校正(PFC)设计中构建尽量低的MOSFET效率。 功率因数校正设计 如图1右图的PFC校正电路块是一个最重要子系统,在许多情况下是输出功率不高于65W的电源的不可或缺子系统(依据EN61000-3-2)。

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本文摘要:VishaySiliconix设计和生产面向工业、可再生能源、计算出来、消费及灯光市场的高压MOSFET(HVM)。我们享有电压范围为50V至1000V的普遍器件,其中使用我们近期超结技术的器件的电压范围为500V至650V。本设计指南的目的是协助设计工程师在其功率因数校正(PFC)设计中构建尽量低的MOSFET效率。 功率因数校正设计 如图1右图的PFC校正电路块是一个最重要子系统,在许多情况下是输出功率不高于65W的电源的不可或缺子系统(依据EN61000-3-2)。

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VishaySiliconix设计和生产面向工业、可再生能源、计算出来、消费及灯光市场的高压MOSFET(HVM)。我们享有电压范围为50V至1000V的普遍器件,其中使用我们近期超结技术的器件的电压范围为500V至650V。本设计指南的目的是协助设计工程师在其功率因数校正(PFC)设计中构建尽量低的MOSFET效率。  功率因数校正设计  如图1右图的PFC校正电路块是一个最重要子系统,在许多情况下是输出功率不高于65W的电源的不可或缺子系统(依据EN61000-3-2)。

该电路用作使输出线路电流与AC电压波形十分相似,在大多数情况下使输入电压下降至少见的400VDC。  图1:功率因数校正原理图  “功率因数”为实际功率(P=瓦特)与表观功率(VA=伏安)的比率。这方面的目标是构建尽量相似于1的单位功率因数。对于完全相同的输出功率,较低功率因数阻抗于多功率因数阻抗不会消耗更加多力阻电流。

较低功率因数设计的较小电流不会减少系统的能量损失,导致电力公司在电缆过程中浪费大量电能。图1a和1b表明了PFC对线路电流及其谐波的影响。

图1a.没PFC电路的线路电压和电流1b.具备PFC电路的波形  在没PFC的图1a中,电流只在周期的短时间期间来自AC电源。这造成较好的功率因数和超过115%的过多谐波。

虽然系统只用于了158W能用功率,但电缆系统为获取它却消耗了272伏安。图2a表明了在完全相同线路上实行PFC的益处。这时功率因数为99.9%,谐波降到3%。

电流在整个周期中都来自AC线路,没浪费过多VA成分。  可以注意到,功率因数校正人与自然波电流上升并非同义词。例如,在高度电感性阻抗中,电流有可能以极致正弦波形迟缓于电压。

这不会造成较好的功率因数和低无功功率,没任何谐波。而谐波电流非常丰富的杂讯波形一般来说具备所有相左必须的特性。PFC电路不只校正功率因数,还减少谐波电流。

  目前,有多种不同标准规定了电子设备所用电力的质量。EN61000-3-2拒绝输出功率小于75W的所有系统都要减少谐波电流。

80Plus电流证书拒绝功率因数为0.9或更高。  在PFC电路中,MOSFET的损耗占到总损耗的大约15%至20%。在用于校正器件后,PFC效率可实现总共0.33%减少(表格1)。

在500W输出功率下,计算结果是MOSFET功率损耗可增大2W。表格1:基于总PFC功率损耗的MOSFET损耗计算出来  VishaySiliconix针对规定的工作条件和5W至1000W输出功率级编成了最重要的两种600V和650V器件的列表,以协助设计工程师在PFC设计中自由选择合适的MOSFET。

表格2所列了规定的工作条件,表格4所列了每种功率级的最重要两种E系列超结技术器件。虽然主要标准是效率,但表中获取了好比一种器件自由选择,以符合成本、PCB或更高电压降额等其他拒绝。  PFC设计研发用于的MOSFET器件列表  表格4中的器件是用于针对新的应用于的品质因数(FOM)而自由选择的,该品质因数侧重于最大限度增大器件的总损耗。虽然还包括针对导电损耗的导通电阻(RDS(on))和针对开关损耗的栅电荷(Qg),但FOM并非非常简单的二者之乘积。

为解释开关损耗,用于了器件的Qgs和Qgd的一部分及其输入容值(Coss)。自由选择合适的器件时用于了以下工作条件(参看表格2)。表格2:功率因数校正设计条件  引荐器件的列表在“PCB”方位还包括一个“x”。在完全相同电气特征下,每种器件有许多可选PCB。

实际用于的PCB各不相同功率级和容许的MOSFET标记面积。图2定义了有所不同零件号的PCB、额定电流、电压和器件技术  定义:Vishay高压MOSFET零件号:SiHxDDNFFGG  图2:零件号定义  对于获取的许多PCB选项,表格3所列了有所不同PCB的建议仅次于额定功率。  基于PCB类型的引荐功率等级  表格3:基于PCB类型的仅次于功率级  录:  *如果用于风扇性能强化的多层PCB,则该PCB可在更高功率级下用于。

  **如果用于交叠式(interleaved)PFC设计,则输出功率仅次于平均750W(用于两个TO-220)。在非交叠式设计中并联两个TO-220或TO-220F容许仅次于750W。  融合设计条件、器件零件号含义和每种PCB类型的仅次于建议值,表格4表明了针对有所不同功率级的适当器件。

  该列表表明了许多有所不同器件。设计工程师可按照电压、效率或价格来挑选出最合适自己应用于的器件。  功率因数校正MOSFET选型指南表格4:基于PFC输出功率级的器件选型工具  具有“x”的器件可用于多种PCB;具有“G”的器件必需用于TO-247PCB。


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